6年,国产存储芯片逆袭!技术超过了三星、美光等世界巨头

嵇仁谦
导读 说起存储芯片,大家肯定会知道三星、美光、SK海力士、铠侠这几大巨头,因为全球不管是DRAM芯片,还是NAND芯片,基本上都是被这几大巨头垄断...

说起存储芯片,大家肯定会知道三星、美光、SK海力士、铠侠这几大巨头,因为全球不管是DRAM芯片,还是NAND芯片,基本上都是被这几大巨头垄断的。

以往国内的厂商们,需要存储芯片,都要从这几大巨头那去采购,每年花费巨额的外汇,以2021年为例,进口存储芯片的金额超过了1000亿美元。

也正因为如此,所以国内一直在发力存储芯片领域,以期提高自给率,降低对外依赖,建立了好几大存储芯片基地。

其中长江存储就专注于生产NAND芯片,成立于2016年,但直到2017年才推出第一代产品,还是落后的32层堆叠的技术,此时三星、美光等都达到96层的水平了,中间还隔了一个64层,可以说三星、美光等巨头领先至少两代。

这里要稍微解释一下,为何在NAND芯片上,会提到“XX层堆叠”这个名词,不是芯片工艺中最常见的XXnm了。

逻辑芯片等产品,提升芯片性能是通过微缩工艺来实现的,比如7nm、5nm、3nm等,工艺制程越小,技术越先进。

但在NAND领域,则不能这么干,因为研究实验发现,当进入到20nm以下时,单纯的提升NAND芯片的工艺,还可能会导致可靠性大幅度下降,而存储芯片需要稳定可靠。

所以NAND闪存芯片,不能靠平面的这种微缩工艺,而是通过立体方式来实现,即将晶体管上下堆叠在一起,也就有了层数,层数越大,存储密度越高,性能越强,也代表技术越先进。

三星的立体工艺叫做V-NAND ,东芝和闪迪则是 BiCS,而长江存储的叫做Xtacking 技术,这些工艺都是怎么实现立体的堆叠的技术。

从全球的技术情况来看,今年上半年美光发布了232层堆叠的NAND闪存,但其实还没有大规模量产,还只是PPT闪存,而三星、SK海力士等,其232层堆叠的NAND闪存,也没有量产,预计会在2023年实现,也就是说目前世界巨头们最先进的技术,其实还没到232层堆叠。

但是长江存储的232层NAND闪存,却已经大规模量产,用于实际的SSD产品中了。据 TechInsights 的说法,他们拆解了海康威视的 CC700 2TB 的固态硬盘,发现其中使用的就是长江存储的 232 层的 3D NAND闪存,这可是全球第一个,是领先于美光、三星、SK海力士等巨头的。

大家想一想,长江存储才成立6年时间,就逆袭了,实现了对三星、美光等巨头的反超,是不是一件特别值得骄傲的事情?

不过大家也要清醒的认识到,虽然技术上实现了反超,但当前长江存储的产能并不大,按照2021年的数据,长江存储在全球的份额还不到5%,而机构预测2022年份额可能会达到7.5%左右,所以虽然技术反超了,但在产量上还要多努力,才能真正大规模实现国产替代,减少对外进口和依赖啊。

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